今天，英特尔战略部门经理Carlos Weissenberg在秋季英特尔信息技术峰会上表示，2009年年底之前，DDR3内存都不会全面取代DDR2内存。Weissenberg通过幻灯片向与会人员解释说，在未来的16个月内，DDR2内存仍将占据内存市场的主导地位。随着低电压DDR3内存的不断问世，明年内DDR3内存会取得巨大的发展。届时将出现电压为1.35V的DDR3内存，而目前DDR3内存的电压主要是1.5V。此后，DDR3内存在市场中的张力会越来越大。不过Weissenberg也表示无法预测DDR3内存的价格何时才能够更平易近人。
尽管Weissenberg承认目前DDR3内存还不能大范围普及，但他说英特尔始终认为DDR3取代DDR2是大势所趋。“我们正在与内存供应商进行合作，以推动DDR2更快向DDR3过渡。”Weissenberg表示，“我们未来的芯片组都将只支持DDR3内存，Nehalem处理器架构也是如此。”
同时，参加本次IDF的奇梦达（Qimonda）资深市场总监Tom Trill也表示赞同英特尔的观点，并且他还在IDF上展示了奇梦达关于制造16GB和32GB DDR3内存的发展规划。
虽然DDR3离我们绝大多数人还很遥远，但是DDR3内存的继任产品DDR4却已经被列入英特尔和奇梦达未来的发展蓝图中。Tom Trill预测，第一批DDR4内存有望在2012年问世，其总线频率约是2133MHz，运行电压是1.2V。同时他还预测，2013年应该可以看到2667MHz、1.0V的DDR4内存产品。
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